UNIST, 전기 덜먹고 발열 줄인 'M램' 메모리 반도체 기술 개발
국내연구진이 M램(자성 메모리) 반도체의 전력 소모와 발열 문제를 해결할 수 있는 신개념 메모리 소자를 개발했다. 울산과학기술원(UNIST) 신소재공학과 유정우 교수 연구팀은 저전력으로 메모리에 데이터를 저장할 수 있는 M램 소자 구조를 제안하고 이를 실험적으로 입증, 지난 10일 국제학술지 네이처 커뮤니케이션에 게재했다고 28일 밝혔다. M램은 낸드플래시와 D램의 장점을 고루 갖춘 차세대 메모리다. 낸드플래쉬처럼 전원을 꺼도 데이터가 날아가지 않는 비휘발성을 지니며 D램 수준으로 속도가 빠르다. 안전성과 빠른 데이터 읽기, 쓰기가 필요한 분야에서는 일부 상용화됐다. 이 M램은 메모리에 데이터를 쓰고 지울 때 전류를 사용한다. 메모리 소자를 구성하는 두 개 자성층의 자화 방향이 서로 평행일 때는 저항값이 작고 반평행 상태일 때는 저항값이 높아져, 각각의 상태에 따라 0과 1의 데이터로 저장하는 방식이다. 자성층 자화 방향을 바꾸는 데는 문턱전류 이상의 전류를 흘려야하며 이때 발생하
류준영 기자
2024.10.28 11:00:00