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반도체에 입자빔을 쏴 전하 이동도를 최대 2.5배 늘리는 방법으로 반도체 성능을 획기적으로 높인 기술이 국내에서 개발됐다. 한국원자력연구원(이하 원자력연)은 박준규 양성자과학연구단 입자빔이용본부 책임연구원 연구팀이 실리콘 기판 반도체에 질소 입자빔을 주입해 전하 이동도를 높이는 기술을 개발했다고 10일 밝혔다. 이번 연구 결과는 국제 학술지 '어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈'에 지난달 26일 게재됐다. 전하이동도는 전하가 반도체 소자 내에서 얼마나 빠르게 퍼져나가는지 가늠하는 척도다. 전하이동도가 높을수록 반도체의 성능이 향상된다. 하지만 실리콘 기판 등 상용 기판을 사용하는 반도체에서 전하 이동도를 높이는 기술은 아직 제대로 개발된 바 없었다. 박 책임연구원의 연구팀은 반도체 소재가 양옆에서 당기는 힘을 받거나 볼록하게 휠 때 전하 이동도가 높아진다는 원리에 주목했다. 실리콘 기판은 소재 특성상 유연성이 떨어져 기판에 인위적인 힘을 가하기 어려웠는데, 연구팀은 입자빔을 주입해 실리콘